Finora, pannelli solari in silicio monocristallino si sono sviluppate rapidamente sia nella ricerca che nell'industrializzazione.

Tra i molti fattori che influenzano le celle C-Si, il miglioramento della qualità dei wafer di silicio rende la ricombinazione di massa sempre più piccola e lo sviluppo di nuovi strati di passivazione e la loro tecnologia di preparazione riduce notevolmente la ricombinazione superficiale. Tra questi, la ricombinazione dell'elettrodo metallico e del contatto C-Si diventa il fattore chiave che influenza l'efficienza della cella ed è considerata l'ultimo fattore limitante vicino all'efficienza limite teorica. Per ridurre la ricombinazione nel punto di contatto tra metallo e C-Si, da un lato, l'area di contatto diretto tra metallo e C-Si viene ridotta aprendo parzialmente i fori sul retro della cella (inclusi PERC, PERL, e PERT, ecc.). Anche se l'efficienza di conversione è pari o vicina al 25%, c'è ancora un contatto diretto tra metallo e C-Si in queste celle, il processo di apertura posteriore è complicato e causerà danni al materiale di silicio all'apertura.

Inoltre, la tecnica di apertura locale fa sì che i portatori non solo deviino dal percorso di migrazione perpendicolare alla superficie di contatto, ma possono anche essere affollati in corrispondenza dell'apertura, il che porta alla perdita del fattore di riempimento. D'altra parte, è necessario sviluppare nuovi schemi di contatto che possano ottenere sia un'eccellente passivazione superficiale che separazione e trasporto di portatori senza la necessità di aperture, cioè contatti di passivazione selettivi per portatori. Questa soluzione può realizzare la passivazione dell'intera superficie del wafer di silicio (compresa l'area di contatto e l'area senza contatto), e in questo momento i portatori sono un trasporto unidimensionale tra gli elettrodi su entrambe le estremità, il che è vantaggioso per ottenere un fattore di riempimento più elevato e quindi migliorare la sua efficienza di conversione.